Infineon investiert 1,1 Milliarden in Österreich

Entstehen soll laut Infineon die weltweit erste Hochvolumenfertigung für Leistungshalbleiter der neuesten Generation auf grossen 300 Millimeter-Wafern aus Galliumnitrid. Diese werden unter anderem in KI-Rechenzentren, Energieinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik, aber auch Verbraucherelektronik eingesetzt.

Der Produktionsstart ist für Ende kommenden Jahres vorgesehen, die Investitionen werden aber über einen Zeitraum bis 2034 erfolgen. Infineon nutzt an seinem Standort bereits bestehende Reinraum-Kapazitäten.

Die Welt ist energiehungrig, erklärt Infineon-Chef Hanebeck die Nachfrage nach Galliumnitrid. Das Material habe gegenüber herkömmlichen Silizium-Halbleitern den Vorteil, dass es sehr viel schneller schalten könne - und damit sehr viel energieeffizienter sei.

Dass man dies nun auf grösseren 300 Millimeter-Wafern herstellen könne, sorge für massive Effizienzgewinne in der Produktion. Im Vergleich zu einem 200 Millimeter-Wafer könne man die 2,3-fache Menge an Chips erzeugen.